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【半導体】中国Epiworld、12インチ高品質SiCエピタキシャルウェハーの開発に成功

2025-12-25 11:54:51

SiCエピウェハーについて集邦化合物半導体は、ワイドバンドギャップ半導体の中核材料として、高耐圧・高温・高周波対応のパワー半導体デバイス製造に不可欠であり、電気自動車（EV）、太陽光発電・蓄電、鉄道交通、航空宇宙等の戦略的新興産業分野で幅広く採用されていると指摘。その上で、今回Epiworldが発表した12インチSiCエピウェハーは、主要性能指標において国際先進水準に達しているとし、外延層の厚さの面内均一性は≤3%、ドーピング濃度の均一性は≤8%を達成、2mm×2mmチップ換算での歩留まりは96%を超え、高性能パワーデバイスの量産化需要を十分に満たしているとした。

さらに、注目するべき点として、同製品がコアサプライチェーンの中国国産化を果たしていると指摘。エピタキシャル成長装置には、中国Jingsheng Mechanical & Electrical（晶盛機電）傘下の求是半導体が開発した国産装置を採用し、SiC基板は中国SuperSiC（浙江晶瑞）が供給しているとした。

Epiworldについて同メディアは、SiC分野のトップレベル科学者である趙建輝・博士が2011年3月に福建省アモイ（厦門）火炬ハイテク区で創業、SiCエピウェハーのR&D、量産、販売を手掛けており、製品ラインは3・4・6・8インチSiCエピウェハーを網羅していると紹介。パワー半導体製造におけるコア材料として、EV、充電インフラ、蓄電システム、エネルギー供給、データセンター等、多様な川下分野に展開しているとした。

生産能力については、厦門火炬ハイテク区翔安片区に3工場があり、コア生産ラインは6～8インチSiCエピウェハーのR&D及び産業化プロジェクトを手掛ける第3工場区に集中、クラス100の超クリーンルームと外延成長、検査、洗浄の一貫装置を備えているとした。

集邦化合物半導体によると、Epiworldは、中国ファーウェイ（Huawei＝華為）傘下のHubble Investment（哈勃）や中国CR Micro（華潤微電子）等の出資を受けている。2024年12月には、Pre-IPOラウンドで総額10億元（1元＝約22.2円）規模の資金調達を完了、評価額は約260億元に達した。

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